Beim jüngsten Investorenbriefing sagte Samsung, dass die Produktion im 3-nm-Prozess in den nächsten Wochen beginnen wird. Es stellt sich heraus, dass Samsung TSMC voraus ist.

Laut TSMC wird die 3-nm-FinFET-Architektur in der zweiten Jahreshälfte in die Massenproduktion gehen. Branchenanalysten glauben, dass Samsung zwar behauptet, dass sich der 3-nm-Prozess der Massenproduktion nähert, der 3-nm-Prozess von Samsung in Bezug auf Transistordichte und Leistung jedoch mit dem 5-nm-Prozess von TSMC und dem 4-nm-Prozess von Intel vergleichbar ist.

Theoretisch ist der 3-nm-Prozess von Samsung der neueste, in der Praxis hinkt er TSMC aber immer noch hinterher. Samsung hat den Investoren mitgeteilt, dass es sich voll und ganz darauf vorbereitet, in der ersten Hälfte dieses Jahres einen GAA-basierten 3-nm-Prozess auf den Markt zu bringen. Innerhalb der nächsten acht Wochen beginnt die Massenproduktion.

Samsung behauptet, dass die neuen 3-nm-Chips im Vergleich zum aktuellen 7-nm-FinFET-Architekturprozess in einer Niederspannungsumgebung unter 0,75 V betrieben werden können, was den Gesamtstromverbrauch um 50 % reduzieren wird. Es wird auch die Leistung um 30 % verbessern und die Chipgröße um 45 % reduzieren.

Wie hoch der Anteil der Qualitätsprodukte aus dem 3nm-Prozess von Samsung sein wird, ist noch nicht bekannt. Der 4-nm-Prozess von Samsung ist sehr niedrig, was große Kunden gezwungen hat, auf TSMC umzusteigen. Branchenberichten zufolge beträgt die Produktausbeute von Samsung in 3-nm-Qualität nur etwa 10 %, aber Samsung hat dies nicht bestätigt.

TSMC hat auch mit einem fortschrittlicheren 2-nm-Prozess begonnen. Die Testproduktion soll 2024 beginnen, die Massenproduktion ist für 2025 geplant.